IPW65R099C6FKSA1
Hersteller: | Infineon Technologies |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IPW65R099C6FKSA1 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 650V 38A TO-247 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | CoolMOS™ |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Not For New Designs |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-247-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.2mA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 99mOhm @ 12.8A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 278W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | PG-TO247-3 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 127nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 2780pF @ 100V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 38A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 179 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$6.73 | $6.60 | $6.46 |
Minimale: 1