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IPW65R099C6FKSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPW65R099C6FKSA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 38A TO-247
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Not For New Designs
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.2mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 99mOhm @ 12.8A, 10V
Verlustleistung (Max.) 278W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO247-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 127nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2780pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 38A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 179 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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