Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

IPW65R080CFDFKSA2

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPW65R080CFDFKSA2
Beschreibung: HIGH POWER_LEGACY
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ CFD2
FET-Typ N-Channel
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.8mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 80mOhm @ 17.6A, 10V
Verlustleistung (Max.) 391W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO247-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 167nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 5030pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 43.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 51 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$6.00 $5.88 $5.76
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

NTHL050N65S3HF
ON Semiconductor
$5.99
IXTT8P50
IXYS
$5.97
IXTH36N50P
IXYS
$5.97
IXFH46N65X2
IXYS
$5.95
IXFA3N80
IXYS
$5.92