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IPW60R105CFD7XKSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPW60R105CFD7XKSA1
Beschreibung: HIGH POWER_NEW
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 470µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 105mOhm @ 9.3A, 10V
Verlustleistung (Max.) 106W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO247-3-41
Gate Charge (Qg) (Max.) 42nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1752pF @ 400V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 21A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 240 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$5.59 $5.48 $5.37
Minimale: 1

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