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IPU50R1K4CEBKMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPU50R1K4CEBKMA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 70µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Verlustleistung (Max.) 25W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO251-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 8.2nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 178pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 13V

Auf Lager 63 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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