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IPT65R105G7XTMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPT65R105G7XTMA1
Beschreibung: HIGH POWER_NEW
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ C7
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerSFN
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 440µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 105mOhm @ 8.9A, 10V
Verlustleistung (Max.) 156W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-HSOF-8-2
Gate Charge (Qg) (Max.) 35nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1670pF @ 400V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 24A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 1620 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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