Image is for reference only , details as Specifications

IPSH6N03LB G

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPSH6N03LB G
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-251-3 Stub Leads, IPak
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 40µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 6.3mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (Max.) 83W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO251-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 22nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2800pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 58 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IPS13N03LA G
Infineon Technologies
$0
IPS10N03LA G
Infineon Technologies
$0
IPS09N03LB G
Infineon Technologies
$0
IPS09N03LA G
Infineon Technologies
$0
IPS06N03LZ G
Infineon Technologies
$0