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IPSA70R2K0P7SAKMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPSA70R2K0P7SAKMA1
Beschreibung: MOSFET TO251-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ P7
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±16V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-251-3 Stub Leads, IPak
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 30µA
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2Ohm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (Max.) 17.6W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO251-3-347
Gate Charge (Qg) (Max.) 3.8nC @ 400V
Drain to Source Voltage (Vdss) 700V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 130pF @ 400V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3A
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 442 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.59 $0.58 $0.57
Minimale: 1

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