IPS70R1K4P7SAKMA1
Hersteller: | Infineon Technologies |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IPS70R1K4P7SAKMA1 |
Beschreibung: | MOSFET N-CHANNEL 700V 4A TO251 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | CoolMOS™ P7 |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±16V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 40µA |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 1.4Ohm @ 700mA, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 22.7W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | PG-TO251-3 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 4.7nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 700V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 158pF @ 400V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 4A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 1489 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.62 | $0.61 | $0.60 |
Minimale: 1