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IPS105N03LGAKMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPS105N03LGAKMA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-251-3 Stub Leads, IPak
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 10.5mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (Max.) 38W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO251-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 14nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1500pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 60 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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