Image is for reference only , details as Specifications

IPP80N06S4L05AKSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPP80N06S4L05AKSA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±16V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 60µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 5.1mOhm @ 80A, 10V
Verlustleistung (Max.) 107W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO220-3-1
Gate Charge (Qg) (Max.) 110nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 8180pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 79 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IPP80N06S407AKSA1
Infineon Technologies
$0
IPP80N06S405AKSA1
Infineon Technologies
$0
IPP80N06S4L07AKSA1
Infineon Technologies
$0
IPP80N04S3H4AKSA1
Infineon Technologies
$0
IPP120N06S4H1AKSA1
Infineon Technologies
$0