Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

IPP65R600C6XKSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPP65R600C6XKSA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 210µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 600mOhm @ 2.1A, 10V
Verlustleistung (Max.) 63W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 23nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 440pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 7.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 85 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IPP65R380C6XKSA1
Infineon Technologies
$0
IPP65R280C6XKSA1
Infineon Technologies
$0
IPP120N04S402AKSA1
Infineon Technologies
$0
IPP120N04S401AKSA1
Infineon Technologies
$0
IPP100N04S4H2AKSA1
Infineon Technologies
$0