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IPP65R190CFDXKSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPP65R190CFDXKSA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 730µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 190mOhm @ 7.3A, 10V
Verlustleistung (Max.) 151W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 68nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1850pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 17.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 7399 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.94 $2.88 $2.82
Minimale: 1

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