Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

IPP65R150CFDAAKSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPP65R150CFDAAKSA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V TO-220-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 900µA
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 150mOhm @ 9.3A, 10V
Verlustleistung (Max.) 195.3W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 86nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2340pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 22.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 83 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.83 $2.77 $2.72
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IPL65R099C7AUMA1
Infineon Technologies
$2.83
IXKP13N60C5M
IXYS
$2.92
NTMTS0D7N06CTXG
ON Semiconductor
$2.92
NTMTS0D7N06CLTXG
ON Semiconductor
$2.92
IXTP460P2
IXYS
$3.02