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IPP60R180P7XKSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPP60R180P7XKSA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ P7
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 280µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 180mOhm @ 5.6A, 10V
Verlustleistung (Max.) 72W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 25nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1081pF @ 400V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 893 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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