Image is for reference only , details as Specifications

IPP60R099P6XKSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPP60R099P6XKSA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V TO220-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ P6
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.21mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 99mOhm @ 14.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 278W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 70nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3330pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 37.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 69 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$5.12 $5.02 $4.92
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IXFA34N65X2
IXYS
$5.14
STF20N65M5
STMicroelectronics
$4.87
STF15N80K5
STMicroelectronics
$4.87
IPW60R165CPFKSA1
Infineon Technologies
$4.83
STP15N95K5
STMicroelectronics
$4.81