Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

IPP60R099C6XKSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPP60R099C6XKSA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Not For New Designs
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.21mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 99mOhm @ 18.1A, 10V
Verlustleistung (Max.) 278W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 119nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2660pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 37.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 1994 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$5.87 $5.75 $5.64
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IPA60R099C6XKSA1
Infineon Technologies
$5.87
IXTA6N50D2
IXYS
$5.78
IRFP90N20DPBF
Infineon Technologies
$5.73
C2M1000170J
Cree Wolfspeed
$5.59
IXTP140P05T
IXYS
$5.57