Image is for reference only , details as Specifications

IPP60R090CFD7XKSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPP60R090CFD7XKSA1
Beschreibung: HIGH POWER_NEW
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 570µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 90mOhm @ 11.4A, 10V
Verlustleistung (Max.) 125W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 51nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2103pF @ 400V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 25A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 296 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$6.32 $6.19 $6.07
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IXFA56N30X3
IXYS
$6.31
FQA160N08
ON Semiconductor
$6.31
STW21NM60ND
STMicroelectronics
$6.3
STW15NM60ND
STMicroelectronics
$6.27
FCH104N60F-F085
ON Semiconductor
$6.27