Image is for reference only , details as Specifications

IPP114N12N3GXKSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPP114N12N3GXKSA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 120V 75A TO220-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 83µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 11.4mOhm @ 75A, 10V
Verlustleistung (Max.) 136W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 65nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 120V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 4310pF @ 60V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 75A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 324 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.11 $2.07 $2.03
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

STF25N10F7
STMicroelectronics
$2.2
CSD18510KTTT
NA
$2.56
SIHP15N50E-GE3
Vishay / Siliconix
$2.09
R6007ENX
ROHM Semiconductor
$2.04
PSMN3R9-60PSQ
Nexperia USA Inc.
$2.08