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IPP08CNE8N G

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPP08CNE8N G
Beschreibung: MOSFET N-CH 85V 95A TO-220
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 130µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 6.4mOhm @ 95A, 10V
Verlustleistung (Max.) 167W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 99nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 85V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 6690pF @ 40V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 95A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 80 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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