Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

IPP072N10N3GXKSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPP072N10N3GXKSA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 90µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 7.2mOhm @ 80A, 10V
Verlustleistung (Max.) 150W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 68nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 4910pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Auf Lager 92 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.77 $1.73 $1.70
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

FDPF12N50T
ON Semiconductor
$1.75
IRL3705NPBF
Infineon Technologies
$1.75
IRF1404PBF
Infineon Technologies
$1.74
STF4N90K5
STMicroelectronics
$1.73
2SK3564(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
$1.73