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IPP070N08N3 G

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPP070N08N3 G
Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 73µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 7mOhm @ 73A, 10V
Verlustleistung (Max.) 136W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 56nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3840pF @ 40V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Auf Lager 90 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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