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IPP041N12N3GXKSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPP041N12N3GXKSA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 270µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 4.1mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (Max.) 300W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 211nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 120V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 13800pF @ 60V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 634 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$5.58 $5.47 $5.36
Minimale: 1

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