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IPN70R1K0CEATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPN70R1K0CEATMA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 750V 7.4A SOT223
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-261-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 150µA
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1Ohm @ 1.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 5W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-SOT223
Gate Charge (Qg) (Max.) 14.9nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 750V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 328pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 7.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 79 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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