Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

IPN60R600P7SATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPN60R600P7SATMA1
Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ P7
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-261-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 80µA
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 600mOhm @ 1.7A, 10V
Verlustleistung (Max.) 7W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-SOT223
Gate Charge (Qg) (Max.) 9nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 363pF @ 400V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 94 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

BUK9M35-80EX
Nexperia USA Inc.
$0
BUK9M11-40EX
Nexperia USA Inc.
$0
DMN3027LFG-7
Diodes Incorporated
$0
BSC080N03LSGATMA1
Infineon Technologies
$0
BSC886N03LSGATMA1
Infineon Technologies
$0