IPL60R360P6SATMA1
Hersteller: | Infineon Technologies |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IPL60R360P6SATMA1 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 600V 8THINPAK |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | CoolMOS™ P6 |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 370µA |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 360mOhm @ 4.5A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 89.3W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | 8-ThinPak (5x6) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 22nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1010pF @ 100V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 11.3A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 4991 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$1.66 | $1.63 | $1.59 |
Minimale: 1