Image is for reference only , details as Specifications

IPI80N06S207AKSA2

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPI80N06S207AKSA2
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 180µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 6.6mOhm @ 68A, 10V
Verlustleistung (Max.) 250W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO262-3-1
Gate Charge (Qg) (Max.) 110nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3400pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 72 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.67 $1.64 $1.60
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IRF3610STRLPBF
Infineon Technologies
$0
IRFS38N20DTRRP
Infineon Technologies
$1.66
SIHB18N60E-GE3
Vishay / Siliconix
$1.66
FDB070AN06A0-F085
ON Semiconductor
$0