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IPI65R420CFDXKSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPI65R420CFDXKSA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO262
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 340µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 420mOhm @ 3.4A, 10V
Verlustleistung (Max.) 83.3W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO262-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 32nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 870pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 8.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 66 pcs

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