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IPI45P03P4L11AKSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPI45P03P4L11AKSA1
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 45A TO262-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ P-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) +5V, -16V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 85µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 11.1mOhm @ 45A, 10V
Verlustleistung (Max.) 58W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO262-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 55nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3770pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 45A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 60 pcs

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