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IPI25N06S3-25

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPI25N06S3-25
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 25A TO-262
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 20µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 25.1mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (Max.) 48W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO262-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 41nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1862pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 25A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 70 pcs

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