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IPI120P04P4L03AKSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPI120P04P4L03AKSA1
Beschreibung: MOSFET P-CH TO262-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET-Typ P-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±16V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 340µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 3.4mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (Max.) 136W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO262-3-1
Gate Charge (Qg) (Max.) 234nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 15000pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 91 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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