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IPI086N10N3GXKSA1
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | IPI086N10N3GXKSA1 |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | OptiMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Tube |
| Vgs (Max.) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 75µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 8.6mOhm @ 73A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 125W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | PG-TO262-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 55nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 3980pF @ 50V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 80A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Auf Lager 1426 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.44 | $1.41 | $1.38 |
Minimale: 1
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