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IPI04N03LA

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPI04N03LA
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 80A TO-262
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 60µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 4.2mOhm @ 55A, 10V
Verlustleistung (Max.) 107W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO262-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 32nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3877pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 54 pcs

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