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IPI037N08N3GHKSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPI037N08N3GHKSA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 155µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 3.75mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (Max.) 214W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO262-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 117nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 8110pF @ 40V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Auf Lager 57 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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