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IPG20N06S4L14ATMA2
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | IPG20N06S4L14ATMA2 |
| Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 50W |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 20µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 13.7mOhm @ 17A, 10V |
| Lieferanten-Gerätepaket | PG-TDSON-8-4 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 39nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 2890pF @ 25V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 20A |
Auf Lager 50 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.57 | $0.56 | $0.55 |
Minimale: 1
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