IPG20N04S412ATMA1
Hersteller: | Infineon Technologies |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Datenblatt: | IPG20N04S412ATMA1 |
Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
FET-Funktion | Standard |
Teilstatus | Active |
Leistung - Max | 41W |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 15µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 12.2mOhm @ 17A, 10V |
Lieferanten-Gerätepaket | PG-TDSON-8-4 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 18nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1470pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 20A |
Auf Lager 73 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.44 | $0.43 | $0.42 |
Minimale: 1