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IPDD60R190G7XTMA1
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | IPDD60R190G7XTMA1 |
| Beschreibung: | MOSFET NCH 650V 36A PG-HDSOP-10 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | CoolMOS™ G7 |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Cut Tape (CT) |
| Vgs (Max.) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 10-PowerSOP Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 210µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 190mOhm @ 4.2A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 76W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | PG-HDSOP-10-1 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 18nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 718pF @ 400V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 13A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 484 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $2.82 | $2.76 | $2.71 |
Minimale: 1
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