IPDD60R150G7XTMA1
Hersteller: | Infineon Technologies |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IPDD60R150G7XTMA1 |
Beschreibung: | MOSFET NCH 650V 45A PG-HDSOP-10 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | CoolMOS™ G7 |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Digi-Reel® |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 10-PowerSOP Module |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 260µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 150mOhm @ 5.3A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 95W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | PG-HDSOP-10-1 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 23nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 902pF @ 400V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 16A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 2125 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1