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IPDD60R080G7XTMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPDD60R080G7XTMA1
Beschreibung: MOSFET NCH 650V 83A PG-HDSOP-10
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ G7
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 10-PowerSOP Module
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 490µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 80mOhm @ 9.7A, 10V
Verlustleistung (Max.) 174W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-HDSOP-10-1
Gate Charge (Qg) (Max.) 42nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1640pF @ 400V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 29A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 2146 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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