Image is for reference only , details as Specifications

IPD90N06S407ATMA2

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPD90N06S407ATMA2
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 40µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 6.9mOhm @ 90A, 10V
Verlustleistung (Max.) 79W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO252-3-11
Gate Charge (Qg) (Max.) 56nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 90A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 72 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.65 $0.64 $0.62
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

BUK769R6-80E,118
Nexperia USA Inc.
$0
SI7114DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
EKI04027
Sanken
$0.65
AUIRLL024NTR
Infineon Technologies
$0.65
AUIRF7732S2TR
Infineon Technologies
$0.65