IPD90N06S407ATMA2
Hersteller: | Infineon Technologies |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IPD90N06S407ATMA2 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 40µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 6.9mOhm @ 90A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 79W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | PG-TO252-3-11 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 56nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 90A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 72 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.65 | $0.64 | $0.62 |
Minimale: 1