Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

IPD60R280P7SAUMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPD60R280P7SAUMA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ P7
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 190µA
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 280mOhm @ 3.8A, 10V
Verlustleistung (Max.) 53W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO252-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 18nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 761pF @ 400V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 2500 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

SI7465DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SUD19P06-60L-E3
Vishay / Siliconix
$0
STD2N80K5
STMicroelectronics
$0
IRFR15N20DTRPBF
Infineon Technologies
$0