Image is for reference only , details as Specifications

IPD50P04P413ATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPD50P04P413ATMA1
Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 85µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 12.6mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (Max.) 58W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO252-3-313
Gate Charge (Qg) (Max.) 51nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3670pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 14640 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

FDMS8025S
ON Semiconductor
$0
SQJ443EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
$1.14
TK6R7P06PL,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
IRFR3806TRPBF
Infineon Technologies
$0
SI4874BDY-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0