Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

IPD50N04S4L08ATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPD50N04S4L08ATMA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) +20V, -16V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 17µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 7.3mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (Max.) 46W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO252-3-313
Gate Charge (Qg) (Max.) 30nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2340pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 2621 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

AOD424
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$0
FQD1N80TM
ON Semiconductor
$0
FDS6670AS
ON Semiconductor
$0
NVTFS5C466NLTAG
ON Semiconductor
$0
DMP4015SSS-13
Diodes Incorporated
$0