Image is for reference only , details as Specifications

IPD30N06S2-15

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPD30N06S2-15
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 80µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 14.7mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (Max.) 136W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO252-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 110nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1485pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 47 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IRFH5303TR2PBF
Infineon Technologies
$0
IPD60R1K5CEATMA1
Infineon Technologies
$0
BSS119L6433HTMA1
Infineon Technologies
$0
GA50JT06-258
GeneSiC Semiconductor
$626.75
VMO550-01F
IXYS
$275.11