IPD06P005NATMA1
Hersteller: | Infineon Technologies |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IPD06P005NATMA1 |
Beschreibung: | TRENCH 40 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | OptiMOS™ |
FET-Typ | P-Channel |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 250mOhm @ 6.5A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 28W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | PG-TO252-3 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 10.6nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 420pF @ 30V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 6.5A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 56 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1