Image is for reference only , details as Specifications

IPD03N03LA G

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPD03N03LA G
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 90A TO-252
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 70µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 3.2mOhm @ 60A, 10V
Verlustleistung (Max.) 115W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO252-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 41nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 5200pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 90A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 1070 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IPB081N06L3GATMA1
Infineon Technologies
$0
IPB083N10N3GATMA1
Infineon Technologies
$0
IRF60R217
Infineon Technologies
$0
IPD038N06N3GATMA1
Infineon Technologies
$0
IPD50R280CEAUMA1
Infineon Technologies
$0