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IPC302N20N3X1SA1
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | IPC302N20N3X1SA1 |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 200V 1A SAWN ON FOIL |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | OptiMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Bulk |
| Vgs (Max.) | - |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | Die |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 260µA |
| Betriebstemperatur | - |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 100mOhm @ 2A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | - |
| Lieferanten-Gerätepaket | Sawn on foil |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 1A (Tj) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 88 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $3.30 | $3.23 | $3.17 |
Minimale: 1
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