IPC218N06N3X1SA2
Hersteller: | Infineon Technologies |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IPC218N06N3X1SA2 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 60V 3A SAWN ON FOIL |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | OptiMOS™ |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Bulk |
Vgs (Max.) | - |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | Die |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 196µA |
Betriebstemperatur | - |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 100mOhm @ 2A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | - |
Lieferanten-Gerätepaket | Sawn on foil |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 3A (Tj) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 58 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$2.16 | $2.12 | $2.07 |
Minimale: 1