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IPC218N06L3X1SA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPC218N06L3X1SA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 3A SAWN ON FOIL
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Bulk
Vgs (Max.) -
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall Die
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 196µA
Betriebstemperatur -
Rds On (Max) bei Id, Vgs 100mOhm @ 2A, 10V
Verlustleistung (Max.) -
Lieferanten-Gerätepaket Sawn on foil
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3A (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 77 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.04 $2.00 $1.96
Minimale: 1

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