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IPC042N03L3X1SA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPC042N03L3X1SA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 1A SAWN ON FOIL
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Bulk
Vgs (Max.) -
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall Die
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Betriebstemperatur -
Rds On (Max) bei Id, Vgs 50mOhm @ 2A, 10V
Verlustleistung (Max.) -
Lieferanten-Gerätepaket Sawn on foil
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1A (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 63 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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