IPC028N03L3X1SA1
Hersteller: | Infineon Technologies |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IPC028N03L3X1SA1 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 30V 2A SAWN ON FOIL |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | OptiMOS™ 3 |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Bulk |
Vgs (Max.) | - |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | Die |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Betriebstemperatur | - |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 50mOhm @ 2A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | - |
Lieferanten-Gerätepaket | Sawn on foil |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 97 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.27 | $0.26 | $0.26 |
Minimale: 1